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《真空镀膜》
作者：李云奇编著
出版社：化学工业出版社
出版时间：2012年8月1日
定价：￥85.00
点击次数：4623次
作者简介：

内容介绍

本书是本着突出近代真空镀膜技术进步，注重系统性、强调实用性而编著的。全书共11章，内容包涵了真空镀膜中物理基础，各种蒸发源与溅射靶的设计、特点、使用要求，各种真空镀膜方法以及薄膜的测量与监控，真空镀膜工艺对环境的要求等。本书具有权威性、实用性和通用性。

本书可作为从事真空镀膜技术的技术人员、真空专业的本科生、研究生教材使用，亦可供镀膜、表面改型等专业和真空行业技术人员参考。

第1章真空镀膜概论

11概述

12影响固体表面结构、形貌及其性能的因素

121原子和分子构成固体物质

122多晶体物质结构

123材料受到的各种应力负荷

124材料加工所带来的缺陷

125基片表面涂敷硬质薄膜的必要性

13真空镀膜及其工艺特点和应赋予涂层的功能

14薄膜的特征

141薄膜的结构特征

142金属薄膜的电导特征

143金属薄膜电阻温度系数特征

144薄膜的密度特征

145薄膜的时效变化特征

15薄膜的应用

151电子工业用薄膜

152光学工业中应用的各种光学薄膜

153机械、化工、石油等工业中应用的硬质膜、耐蚀膜和润滑膜

154有机分子薄膜

155民用及食品工业中的装饰膜和包装膜

16真空镀膜的发展历程及最新进展

参考文献

第2章真空镀膜技术基础

21真空镀膜物理基础

211真空及真空状态的表征和测量

212气体的基本性质

213气体的流动与流导

214气体分子与固体表面的相互作用

22真空镀膜低温等离子体基础

221等离子体及其分类与获得

222低气压下气体的放电

223低气压下气体放电的类型

224低气压下冷阴极气体辉光放电

225低气压非自持热阴极弧光放电

226低气压自持冷阴极弧光放电

227磁控辉光放电

228空心冷阴极辉光放电

229高频放电

2210等离子体宏观中性特征及其中性空间强度的判别

23薄膜的生长与膜结构

231膜的生长过程及影响膜生长的因素

232薄膜的结构及其结构缺陷

24薄膜的性质及其影响因素

241薄膜的力学性质及其影响因素

242薄膜的电学性质

243薄膜的光学性质及其影响膜折射率的因素

244薄膜的磁学性质

参考文献

第3章蒸发源与溅射靶

31蒸发源

311蒸发源及其设计与使用中应考虑的问题

312电阻加热式蒸发源

313电子束加热式蒸发源

314空心热阴极等离子体电子束蒸发源

315感应加热式蒸发源

316激光加热式蒸发源

317辐射加热式蒸发源

318蒸发源材料

319蒸发源的发射特性及膜层的厚度分布

32溅射靶

321溅射靶的结构及其设计要求

322溅射靶材

参考文献

第4章真空蒸发镀膜

41真空蒸发镀膜技术

411真空蒸发镀膜原理及蒸镀条件

412薄膜材料

413合金膜的蒸镀

414化合物膜的蒸镀

415影响真空蒸镀性能的因素

42分子束外延技术

421分子束外延生长的基本原理与过程

422分子束外延生长的条件、制备方法与特点

423分子束外延生长参数选择

424影响分子束外延的因素

425分子束外延装置

43真空蒸发镀膜设备

431真空蒸发镀膜机的类型及其结构

432真空蒸发镀膜机中的主要构件

44真空蒸发涂层的制备实例

441真空蒸镀铝涂层

442真空蒸镀Cd(Se，S)涂层

443真空蒸镀ZrO2涂层

444分子束外延生长金单晶涂层

参考文献

第5章真空溅射镀膜

51真空溅射镀膜的复兴与发展

52真空溅射镀膜技术

521真空溅射镀膜的机理分析及其溅射过程

522靶材粒子向基体上的迁移过程

523靶材粒子在基体上的成膜过程

524溅射薄膜的特点及溅射方式

525直流溅射镀膜

526磁控溅射镀膜

527射频溅射镀膜

528反应溅射镀膜

529中频溅射与脉冲溅射镀膜

5210对向靶等离子体溅射镀膜

5211偏压溅射镀膜

53真空溅射镀膜设备

531间歇式真空溅射镀膜机

532半连续磁控溅射镀膜机

533大面积连续式磁控溅射镀膜设备

参考文献

第6章真空离子镀膜

61真空离子镀膜及其分类

62离子镀膜原理及其成膜条件

63离子镀膜过程中等离子体的作用及到达基体入射的粒子能量

64离子轰击在离子镀过程中产生的物理化学效应

65离化率与中性粒子和离子的能量及膜层表面上的活化系数

651离化率

652中性粒子所带的能量

653离子能量

654膜层表面的能量活化系数

66离子镀涂层的特点及其应用范围

67离子镀膜的参数

671镀膜室的气体压力

672反应气体的分压

673蒸发源功率

674蒸发速率

675蒸发源和基体间的距离

676沉积速率

677基体的负偏压

678基体温度

68离子镀膜装置及常用的几种镀膜设备

681直流二极、三极及多极型离子装置

682活性反应离子镀装置

683空心阴极放电离子镀膜装置

684射频放电离子镀装置

685磁控溅射离子镀膜装置

686真空阴极电弧离子镀膜装置

687冷电弧阴极离子镀膜装置

688热阴极强流电弧离子镀装置

参考文献

第7章离子束沉积与离子束辅助沉积

71离子束沉积技术

711离子束沉积原理及特点

712直接引出式离子束沉积技术

713质量分离式离子束沉积技术

714离化团束沉积技术

715等离子体浸没式沉积技术

716气固两用离子束沉积技术

72离子束辅助沉积技术

721离子束辅助沉积过程的机理

722离子束辅助沉积的方式及其能量选择范围

723离子束辅助沉积技术的特点

724离子束辅助沉积装置

725微波电子回旋等离子体增强溅射沉积装置

726离子源

参考文献

第8章化学气相沉积

81概述

82CVD技术中的各类成膜方法及特点

83CVD技术的成膜条件及其反应类型

831CVD反应的条件

832CVD技术的反应类型

84化学气相沉积用先驱反应物质的选择

85影响CVD沉积薄膜质量的因素

851沉积温度对膜质量的影响

852反应气体浓度及相互间的比例对膜质量的影响

853基片对膜质量的影响

86常压化学气相沉积技术与装置

861常压CVD技术的一般原理

862常压的CVD装置

87低压化学气相沉积(LPCVD)

871LPCVD的原理及特点

872LPCVD装置的组成

873LPCVD制备涂层的实例

88等离子体增强化学气相沉积(PECVD)

881PECVD的成膜过程及特点

882PECVD装置

883PECVD薄膜的工艺实例

89金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)

810光辅助化学气相沉积(PHCVD)

参考文献

第9章薄膜的测量与监控

91概述

92薄膜厚度的测量

921薄膜厚度的光学测量法

922薄膜厚度的电学测量法

923薄膜厚度的机械测量法

93薄膜应力的测量

931基片变形法

932衍射法

94薄膜的附着力测量

941胶带剥离法

942拉倒法

943拉张法

944划痕法

95薄膜的硬度测量

951维氏硬度

952努氏硬度

96薄膜的光谱特性测量

参考文献

第10章薄膜性能分析

101概述

102电子作用于固体表面上所产生的各种效应

1021背散射电子

1022二次电子

1023吸收电子和透射电子

1024俄歇电子

1025特征X射线

1026阴极荧光

1027电子束感生电流

103离子作用于固体表面所产生的效应

1031一次离子的表面散射

1032反向散射离子

1033正负二次电子

104光子作用于固体表面所产生的效应

1041波长较短的X射线

1042波长较长的X射线

105薄膜形貌观察与结构分析

1051光学显微镜

1052扫描电子显微镜

1053透射电子显微镜

1054X射线衍射仪

1055低能电子衍射和反射式高能电子衍射

1056扫描探针显微镜

106薄膜组成分析

1061俄歇电子能谱仪

1062二次离子质谱分析仪

1063卢瑟福背散射分析仪

1064X射线光电子能谱仪

参考文献

第11章真空镀膜技术中的清洁处理

111概述

112真空镀膜设备的清洁处理

1121真空镀膜设备污染物的来源及清洁处理

1122真空镀膜设备真空系统的清洗处理

113真空镀膜设备的环境要求

114真空镀膜工艺对环境的要求

1141真空镀膜工艺对环境的基本要求

1142基片表面污染物来源及清洁处理

115镀件表面处理的基本方法

116真空镀膜常用材料的清洗方法

117真空镀膜设备型号编制方法、试验方法

1171真空设备型号编制方法（JB/T 7673—1995）

1172真空镀膜设备通用技术条件（摘自GB/T 11164—99）

参考文献

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